克服多重圖案成型挑戰 全方位製程控制方案露頭角

作者: Brian Trafas
2015 年 06 月 30 日
半導體產業已發展到以多重圖案成型和間隙壁分割等創新技術,來克服浸潤式微影系統的193奈米解析度屏障。這些技術之所以被廣泛的使用,是由於遲遲無法採用現在被視為適用於7奈米設計節點的極紫外光(EUV)曝光機。
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