克服多重圖案成型挑戰 全方位製程控制方案露頭角

作者: Brian Trafas
2015 年 06 月 30 日
半導體產業已發展到以多重圖案成型和間隙壁分割等創新技術,來克服浸潤式微影系統的193奈米解析度屏障。這些技術之所以被廣泛的使用,是由於遲遲無法採用現在被視為適用於7奈米設計節點的極紫外光(EUV)曝光機。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

射頻應用商機熱 SiP廠傾力搶攻

2010 年 05 月 17 日

分食集中式逆變器市場 微轉換/逆變器來勢洶洶

2011 年 08 月 08 日

開創IoT新局面 邊緣運算實現智慧工業/交通

2018 年 06 月 14 日

實現高效/節能 馬達邁向驅控一體設計新時代

2018 年 11 月 08 日

得美感者 得商機

2019 年 12 月 01 日

印度半導體發展雄心崛起 積極布局半導體產業聚落

2024 年 07 月 01 日
前一篇
專訪Altera全球業務開發總監Patrick Wadden 數位電源躍居FPGA SoC設計新寵
下一篇
安立知新一代向量網路分析儀兼顧性能與成本